Điện dẫn truyền (transconductance) của jfet và demosfet

Cũng tương tự như ở BJT, một cách tổng quát người ta định nghĩa điện dẫn truyền của FET là tỉ số:

Điện dẫn truyền có thể được suy ra từ đặc tuyến truyền, đó chính là độ dốc của tiếp tuyến với đặc tuyến truyền tại điểm điều hành Q

Trong đó: g_m: là điện dẫn truyền của JFET hay DE-MOSFET với tín hiệu nhỏ

g_mo: là g_m khi V_GS= 0V

V_GS: Điện thế phân cực cổng - nguồn

V_GS(off): Điện thế phân cực cổng - nguồn làm JFET hay DE-MOSFET ngưng.

Phương trình trên cho ta thấy sự liên hệ giữa điện dẫn truyền g_m với dòng điện thoát I_D tại điểm điều hành Q. g_mo được xác định từ các thông số I_DSS và V_GS(off) do nhà sản xuất cung cấp.