Giáo trình linh kiện điện tử
Science and TechnologyPhương pháp khảo sát chuyển động của hạt tử bằng năng lượng
Phương pháp khảo sát này căn cứ trên định luật bảo toàn lượng. Để dễ hiểu, ta xét thí dụ sau đây:
Một diode lý tưởng gồm hai mặt phẳng song song bằng kim loại cách nhau 5 Cm. Anod A có hiệu điện thế là –10V so với Catod K. Một điện tử rời Catod K với năng lượng ban đầu Ec=2eV. Tính khoảng cách tối đa mà điện tử có thể rời Catod.
Giả sử, điện tử di chuyển tới điểm M có hoành độ là x. Điện thế tại điểm M sẽ tỉ lệ với hoành độ x vì điện trường giữa Anod và Catod đều.
Điện thế tại một điểm có hoành độ x là:
Khi x=0, (tại Catod)
Nên
Tại x=5 Cm (tại Anod A) thì V=-10volt
Vậy V=-2x (volt) với x tính bằng Cm
Suy ra thế năng tại điểm M là:
với e là điện tích của điện tử.
Ta có thể viết
Năng lượng toàn phần tại điểm M là:
Năng lượng này không thay đổi. Trên đồ thị, T được biểu diễn bằng đường thẳng song song với trục x.
Tại điểm M (x=x0) ta có:
T-U=0
Mà T=+Ec (năng lượng ban đầu)
T=2.e.V
Vậy, U=2.x0 (eV)
=> 2-2.x0=0 => x0=1Cm
Về phương diện năng lượng, ta có thể nói rằng với năng lượng toàn phần có sẵn T, điện tử không thể vượt qua rào thế năng U để vào phần có gạch chéo.
Ta thấy rằng nếu biết năng lượng toàn phần của hạt điện và sự phân bố thế năng trong môi trường hạt điện, ta có thể xác định được đường di chuyển của hạt điện.
Phần sau đây, ta áp dụng phương pháp trên để khảo sát sự chuyển động của điện tử trong kim loại.
- Giáo trình linh kiện điện tử
- Thông tin giáo trình điện tử
- Giáo trình linh kiện điện tử-Lời nói đầu
- Khái niệm về cơ học nguyên lượng
- Phân bố điện tử trong nguyên tử theo năng lượng
- Dải năng lượng
- Độ linh động và dẫn xuất
- Phương pháp khảo sát chuyển động của hạt tử bằng năng lượng
- Thế năng trong kim loại
- Sự phân bố của điện tử trong kim loại
- Công ra(Hàm công)
- Điện thế tiếp xúc(Tiếp thế)
- Chất bán dẫn điện thuần hay nội bẩm
- Chất bán dẫn ngoại lai hay có chất pha
- Dẫn xuất của chất bán dẫn
- Cơ chế dẫn điện trong chất bán dẫn
- Phương trình liên tục
- Cấu tạo của nối P-N
- Dòng điện trong nối P-N khi được phân cực
- Ảnh hưởng của nhiệt độ lên nối P-N
- Nội trở của nối P-N
- Điện dung của nối P-N
- Các loại DIODE thông dụng
- Cấu tạo căn bản của BJT
- Cơ chế hoạt động của transistor lưỡng cực
- Transistor ở trạng thái chưa phân cực
- Các cách ráp transistor và độ lợi dòng điện
- Dòng điện rỉ trong transistor
- Đặc tuyến V-I của transistor
- Điểm điều hành – đường thẳng lấy điện một chiều
- Kiểu mẫu một chiều của BJT
- BJT với tín hiệu xoay chiều
- Cấu tạo căn bản của JFET
- Cơ chế hoạt động của JFET
- Đặc tuyến truyền của JFET
- Ảnh hưởng của nhiệt độ trên JFET
- Mosfet loại hiếm (depletion mosfet de mosfet)
- Mosfet loại tăng (enhancement mosfet e-mosfet)
- Xác định điểm điều hành
- Fet với tín hiệu xoay chiều và mạch tương đương với tín hiệu nhỏ
- Điện dẫn truyền (transconductance) của jfet và demosfet
- Điện dẫn truyền của e-mosfet
- Tổng trở vào và tổng trở ra của fet
- CMOS tuyến tính (linear cmos)
- Mosfet công suất v-mos và d-mos
- SCR (thyristor – silicon controlled rectifier)
- TRIAC (triod ac semiconductor switch)
- SCS (silicon – controlled switch)
- DIAC
- Ujt (unijunction transistor – transistor độc nối)
- Diod shockley
- GTO (gate turn – off switch)
- PUT (Programmable Unijunction Transistor)
- Ánh sáng
- Quang điện trở (photoresistance)
- Quang diod (photodiode)
- Quang transistor (photo transistor)
- Diod phát quang (led-light emitting diode)
- Nối quang
- Khái niệm về IC - sự kết tụ trong hệ thống điện tử
- Các loại IC
- Sơ lược về qui trình chế tạo một IC đơn tinh thể
- IC số (IC digital) và IC tương tự (ic analog)